特許

J-GLOBAL ID：200903044088437120

基板上に半導体集積回路用銅配線を形成する方法

発明者： パク、ヒョン-サン ,  カン、サン-ウォン
出願人/特許権者： ジェニテック カンパニー リミテッド
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-557034
公開番号（公開出願番号）：特表2005-513813
出願日： 2002年12月28日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

優れた接着性を有する拡散防止層又は接着層、又はその両方を形成することにより、基板上に集積回路を配線するための銅配線導体を形成する方法を開示する。本発明によると、ルテニウム(Ru)及びレニウム合金とレニウム(Re)及びレニウム合金を使用することを提案する。そのほかの使用金属としては、ニッケル(Ni)、プラチナ(Pt)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、及びこれらの合金を含む。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁層表面にルテニウム(Ru)又はレニウム(Re)又はそれらの合金を使用して原子層蒸着法(ALD)により拡散防止層を形成する段階と、 前記拡散防止層上に銅層を形成する段階とを含んでなることを特徴とする基板上に集積回路を配線するための銅配線導体を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

FI (4件)：

H01L21/88 R ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/88 M

Fターム (52件)：

4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033XX02 ,  5F033XX13 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の配線構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-030432   出願人：日本電信電話株式会社
• 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-034413   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-105454   出願人：株式会社リコー