半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167382
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012729
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】接続孔においてチタンシリサイド膜と窒化チタン膜と介して導電体膜を形成する際に、バリア性およびオーミック性を確保しつつ配線の加工性を確保し、さらにこの配線と拡散層との間の電気接続特性の劣化を回避できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】接続孔105を形成した後、シリコン基板101を350°C〜450°Cに保持してコリメータスパッタ法によりチタン膜106を形成し、シリコン基板101を300°C〜450°Cに保持してコリメータスパッタ法を用いた反応性スパッタ法により窒化チタン膜107を形成する。

請求項（抜粋）：

拡散層を含んでなる半導体素子が設けられたシリコン基板表面を覆う絶縁膜を形成し、該半導体素子に達する接続孔を該絶縁膜に形成し、該接続孔の底部に露出した該拡散層表面の自然酸化膜を除去する工程と、前記シリコン基板を350°Cから450°Cの範囲の温度に加熱して、前記絶縁膜上面の膜厚が第1の所望膜厚(=t1 )になるように、コリメータスパッタ法により全面にチタン膜を形成する工程と、前記シリコン基板を所要温度に加熱して、前記絶縁膜上面の膜厚が第2の所望膜厚(=t2 )になるように、コリメータスパッタ法により全面に窒化チタン膜を形成する工程と、熱処理により、前記拡散層に達する前記接続部の底部の前記チタン膜をチタンシリサイド膜に変換する工程と、前記窒化チタン膜を覆う導電体膜を形成し、該導電体膜,該窒化チタン膜および前記チタン膜をパターニングして配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/285 301 , H01L 21/285

FI (3件)：

H01L 21/90 D , H01L 21/285 301 R , H01L 21/285 301 T

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-353712 出願人：三菱電機株式会社
金属層堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-102200 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-242571 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る