特許
J-GLOBAL ID：200903044163977497

半導体試験装置

発明者：
古海 伸二

古海 伸二 について


出願人/特許権者：
株式会社アドバンテスト

株式会社アドバンテスト について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-209275
公開番号（公開出願番号）：特開2004-053339
出願日： 2002年07月18日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】大消費電流半導体デバイスのファンクション試験と大容量コンデンサのリーク電流よりも小さい微少電流試験とを1セットの半導体試験装置で試験を行う。【解決手段】大消費電流DUTのファンクション試験と微少電流試験とを行う半導体試験装置であって、微少電流測定可の試験部と大容量コンデンサ付きの試験部とを有する試験部混載パフォーマンス・ボードをハンドラに具備し、ハンドラ内部でDUTの搬送移動を行って微少電流試験と大消費電流のファンクション試験とを交互に試験し、全ての試験を行う半導体試験装置である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
大消費電流DUTのファンクション試験と微少電流試験とを行う半導体試験装置において、 微少電流測定可の試験部と大容量コンデンサ付きの試験部とを有する試験部混載パフォーマンス・ボードをハンドラに具備し、 ハンドラ内部でDUTの搬送移送を行って、微少電流試験と大消費電流のファンクション試験とを交互に試験し、全ての試験を行うことを特徴とする半導体試験装置。
IPC (2件)：
G01R31/28 ,  G01R31/26
FI (3件)：
G01R31/28 H ,  G01R31/26 B ,  G01R31/26 G
Fターム (18件)：
2G003AA02 ,  2G003AA07 ,  2G003AA08 ,  2G003AB02 ,  2G003AB05 ,  2G003AE01 ,  2G003AH04 ,  2G132AA08 ,  2G132AA11 ,  2G132AB01 ,  2G132AD01 ,  2G132AE01 ,  2G132AE02 ,  2G132AE23 ,  2G132AE27 ,  2G132AE30 ,  2G132AL09 ,  2G132AL26
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 半導体試験装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-263241   出願人：株式会社アドバンテスト
  • 特開平3-239341
  • 電子部品の試験方法及び試験装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-124863   出願人：富士通株式会社
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