特許
J-GLOBAL ID：200903044185014862

張り合わせ基板およびその製造方法

発明者：
大井 浩之

大井 浩之 について

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石川 俊文

石川 俊文 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について

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三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287374
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116897
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 張り合わせ基板においてボイド発生を抑止する。【解決手段】 支持基板部31と活性層基板部21との間にシリコン酸化膜32を介在させ、張り合わせる。シリコン酸化膜は軟化点を1100°C未満とする。シリコン酸化膜32にはボロンをイオン注入し、シリコン酸化膜の軟化点を1100°Cより低下させるか、支持基板31にボロンを7×1017atoms/cm3以上の高濃度で含むシリコンウェーハを用いる。ウェーハ中のボロンは熱酸化膜形成中に膜中に取り込まれる。また、張り合わせ熱処理でもボロンの酸化膜中への拡散が進行し、シリコン酸化膜の軟化点が、900°C程度に低下する。張り合わせ熱処理でシリコン酸化膜は軟化・溶融され、界面の凹凸を埋め、ボイド発生のない張り合わせ基板を作製できる。
請求項（抜粋）：
支持基板部と活性層基板部との間に絶縁膜を介在させ、この絶縁膜表面に張り合わせ界面を有する張り合わせ基板において、上記絶縁層の軟化点を1100°C未満とした張り合わせ基板。
IPC (3件)：
H01L 21/762 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (3件)：
H01L 21/76 D ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B
引用特許：
審査官引用 (8件)
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