特許
J-GLOBAL ID：200903044200609576
GaN系半導体発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-274315
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086840
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 Al組成が含まれていても、従来よりも高品質なGaN系結晶層によって構成されたGaN系LEDを提供すること。【解決手段】 転位密度1×1011cm-2以下、厚さ0.1μm以上のAlxGa1-xN(0.5≦x≦1)結晶層(単独の結晶基板であってもよい)上に、GaN系結晶層からなる積層構造を形成しLEDとする。このとき、(GaN系結晶層のAl組成)≦(前記AlxGa1-xN結晶のAl組成x)とする。
請求項（抜粋）：
?@転位密度1×1011cm-2以下、厚さ0.1μm以上のAlxGa1-xN(0.5≦x≦1)結晶層が、結晶成長の基礎となるベース基板上に直接的に形成されているか、または?A転位密度1×1011cm-2以下、厚さ0.1μm以上のAlxGa1-xN(0.5≦x≦1)結晶からなる結晶基板が用いられ、前記?@または?AのAlxGa1-xN結晶上に、GaN系結晶層からなる積層構造が形成され、該積層構造の各層は、AlyInzGa1-y-zN(0≦y≦1、0≦z≦1、0≦y+z≦1)からなり、かつ(各層のAl組成y)≦(前記AlxGa1-xN結晶のAl組成x)とされており、該積層構造には、p型層とn型層とを有して構成される発光部が少なくとも含まれていることを特徴とするGaN系半導体発光ダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
5F041AA04
, 5F041AA11
, 5F041AA40
, 5F041AA44
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F045AA04
, 5F045AA20
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AD17
, 5F045AD18
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA11
, 5F045DA55
, 5F045EB13
