特許
J-GLOBAL ID：200903044231424850

CVDコーティング装置

発明者：
ユルゲンセン、ホルゲル

ユルゲンセン、ホルゲル について

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ケッペレル、ヨハネス

ケッペレル、ヨハネス について

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シュトラウヒ、ゲルド

シュトラウヒ、ゲルド について


出願人/特許権者：
アイクストロン、アーゲー

アイクストロン、アーゲー について


代理人 (3件)： 小島 高城郎 ,  河合 典子 ,  佐藤 卓也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-522573
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507619
出願日： 2001年08月24日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】特に結晶層を1又は複数の、特に結晶基板上に成長させる装置を提供する。【解決手段】導入される反応気体を用いるプロセスチャンバ(1)を有し、それらの反応気体は熱反応を行う。本装置は加熱可能な搭載プレート(3)を具備し、その中に少なくとも1つの基板ホルダ(45)が緩く、特に回転可能に載置され、その表面は周囲と同一平面である。少なくとも1つの基板ホルダに隣接する補償プレート(48)が基板ホルダの外郭に沿っており、搭載プレート上の等温線をできるだけ平坦に保持するために搭載プレート(3)上に設けられる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
プロセスチャンバ(1)内に導入される反応気体を用い該反応気体が熱的に反応する該プロセスチャンバ(1)内で1又は複数の結晶基板上に結晶層を成長させるための装置において、 加熱可能な搭載プレート(3)を有し、該搭載プレート(3)内に少なくとも1つの基板ホルダ(45)が緩く回転可能に載置されると共に該基板ホルダ(45)の表面が周囲と同一平面内にあり、少なくとも1つの補償プレート(48)が該搭載プレート(3)上に設置されかつ該少なくとも1つの基板ホルダ(45)と隣接することにより該意基板ホルダ(45)の外郭に沿っていることを特徴とする装置。
IPC (3件)：
C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205
FI (3件)：
C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205
Fターム (28件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077EG19 ,  4G077TF01 ,  4G077TF02 ,  4G077TF03 ,  4G077TF04 ,  4G077TF06 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030JA03 ,  4K030KA47 ,  5F045AB06 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045DP15 ,  5F045EK02 ,  5F045EM02 ,  5F045EM03 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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