特許
J-GLOBAL ID：200903044306391472
半導体集積回路装置およびその製造方法並びに製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-269977
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100875
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 多ピンでファインピッチのバンプ電極を持つ半導体集積回路装置を、バンプ体積を十分確保しつつ、ICチップと回路基板間と間隙をすきまなく樹脂で埋め、高スループットで低コストに製造する。【解決手段】 カバーフィルムと熱硬化性絶縁フィルムとの積層構造からなるフィルムの所定位置にパンチで貫通穴を形成し、熱硬化性絶縁フィルムと電極パッドが形成された側の回路基板面とを張り付け、貫通穴にペースト状バンプ材料を充填後、加熱し、電極パッドに被着するバンプ電極を得る。その後、カバーフィルムを引き剥し、熱硬化性絶縁フィルム面にICチップを加熱しつつ押しつけて張り付け、バンプ電極を介してICチップと回路基板との電気的接続を図る。
請求項（抜粋）：
カバーフィルムと熱硬化性絶縁フィルムとの積層構造からなるフィルムに対し、回路基板上に形成された電極パッド相当位置に貫通穴を形成する工程、上記フィルムの上記貫通穴と上記回路基板の上記電極パッドとを位置合わせし、上記電極パッドが形成された上記回路基板面に上記熱硬化性絶縁フィルム面を張り付ける工程、ペースト状バンプ材料を上記貫通穴に充填する工程、加熱によって上記ペースト状バンプ材料を上記電極パッドに被着させてバンプ電極を得る工程、上記カバーフィルムを上記回路基板側から引き剥し、上記回路基板側に上記熱硬化性絶縁フィルムを残す工程、上記熱硬化性絶縁フィルムの上面に、上記バンプ電極とICチップの表面の導電層とを位置合わせし、上記回路基板と上記ICチップを押しつけながら加熱し、上記バンプ電極と上記ICチップとを電気的に接続するとともに上記ICチップと上記回路基板とを上記熱硬化性絶縁フィルムで封止する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/56 R
4M105AA19
, 4M105BB04
, 4M105BB11
, 4M105FF04
, 4M105GG12
, 5F061AA01
, 5F061BA04
, 5F061CB05
