特許

J-GLOBAL ID：200903044346625123

化学増幅ポジ型レジスト、およびそれを用いたパターン形成方法

発明者： 前田 勝美 ,  岩佐 繁之 ,  長谷川 悦雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128838
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321772
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 220nm以下の光を用いたリソグラフィー用の化学増幅ポジ型レジストにおいて露光光に対して透明性に優れ、かつエッチング耐性、基板密着性に優れた化学増幅ポジ型レジストが切望されている。【解決手段】 一般式(1)で示される単位を有する重合体と露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有する化学増幅ポジ型レジストの提供により上記の課題が解決される。【化1】(上式において、R1は水素原子またはメチル基、Gは1,2-ジオール構造を有する脂環族炭化水素基を表す。)

請求項（抜粋）：

一般式(1)で示される単位を有する重合体、および露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト。【化1】(上式において、R1は水素原子またはメチル基、Gは1,2-ジオール構造を有する脂環族炭化水素基を表わす。)

IPC (6件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 20/28 ,  C08F220/28 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/14 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 20/28 ,  C08F220/28 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/14 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (49件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA12 ,  4J002BG071 ,  4J002EQ016 ,  4J002ES006 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002EW176 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC12R ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 感光性高分子化合物及びこれを含むフォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-208947   出願人：三星電子株式会社
• ビニル基を含有する単量体及びその重合体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-280695   出願人：日本電気株式会社
• 化学増幅型レジストとレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-235253   出願人：富士通株式会社
• 1,2-ジオール構造を有する脂環式(メタ)アクリレート誘導体、およびその重合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-093499   出願人：日本電気株式会社