特許
J-GLOBAL ID：200903044353323981
集積回路中のコンタクト及びその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267926
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106398
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 製造が簡単で、低いコンタクト抵抗を与える結果になり、キャパシタ素子の形成に必要な処理温度に耐える充分な熱的安定性を有する拡散バリアを持つコンタクトを形成する技術を与えること。【解決手段】 集積回路中にコンタクトを製造するための方法において、半導体102の上に誘電体層106を形成し;前記誘電体層中にコンタクトホールを形成して前記半導体の一部分を露出し;前記コンタクトホール内にシリサイド層114を形成し;前記シリサイド層の上に窒化タングステン(WN)層116を堆積し;次いで、前記WN層の上に金属相互接続層118を形成する;諸工程を含む上記方法。シリサイド層;前記シリサイド層の上の窒化タングステン層;及び前記窒化タングステン層の上の金属層;から成るコンタクト。
請求項（抜粋）：
集積回路中にコンタクトを製造するための方法において、半導体の上に誘電体層を形成し、該半導体の一部分を露出して該誘電体層中にコンタクトホールを形成し、該コンタクトホール内にシリサイド層を形成し、該シリサイド層の上に窒化タングステン(WN)層を堆積し、次いで該WN層の上に金属相互接続層を形成する、諸工程を含む上記方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H01L 21/28
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/28 301 T
