特許
J-GLOBAL ID：200903048637351255
半導体素子の金属配線形成方法及びその配線構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337495
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199594
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 金属配線構造を形成する方法及びその配線構造を提供する。【解決手段】 下部導電層110の上面に層間絶縁層115を形成する第1段階と、層間絶縁層115を部分的に取り除いて下部導電層110の一部を露出させてコンタクトホール120を形成する第2段階と、層間絶縁層115の外面及び露出された下部導電層110の上面に反応調節層を形成する第3段階と、反応調節層の上面に反応金属層を形成する第4段階と、コンタクトホール120の領域で下部導電層110の上面にオーム層135を形成する第5段階と、反応金属層を取り除く第6段階と、結果物の全面に上部導電層145を形成する第7段階とを含む。反応調節層は後続く熱処理工程の際、チタンシリサイドからなるオーム層135を均一に形成することにより、半導体素子の電気的特性を改善する。かつ、半導体素子の高集積化に寄与する。
請求項（抜粋）：
半導体素子の金属配線形成方法において、下部導電層の上面に層間絶縁層を形成する第1段階と、前記層間絶縁層を部分的に取り除いて前記下部導電層の一部を露出させてコンタクトホールを形成する第2段階と、前記層間絶縁層の外面及び前記露出された下部導電層の上面に反応調節層を形成する第3段階と、前記反応調節層の上面に反応金属層を形成する第4段階と、前記コンタクトホールの領域で前記下部導電層の上面にオーム層を形成する第5段階と、前記反応金属層を取り除く第6段階と、結果物の全面に上部導電層を形成する第7段階とを含むことを特徴とする半導体素子の金属配線形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
H01L 21/90 D
, H01L 21/28 301 T
