特許

J-GLOBAL ID：200903044375921874

半導体集積回路装置

発明者： 森 誠一 ,  丹沢 徹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-208777
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162896
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 データ書き換えの高速化を図ることが可能な半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】 書き込み状態の不揮発性メモリセル(データ“0”)と消去状態の不揮発性メモリセル(データ“1”)とが混在するブロックからデータを一括消去する際、この一括消去前に、消去状態の不揮発性メモリセル(データ“1”)に対して、消去状態と書き込み状態との中間のレベルまでデータを書き込み、この後、上記ブロックからデータを一括消去する。

請求項（抜粋）：

書き込み状態の不揮発性メモリセルと消去状態の不揮発性メモリセルとが混在するブロックからデータを一括消去する際、この一括消去前に、前記消去状態の不揮発性メモリセルに対して、前記消去状態と前記書き込み状態との中間のレベルまでデータを書き込む第1機能と、前記消去状態の不揮発性メモリセルに対して、前記消去状態と前記書き込み状態との中間のレベルまでデータを書き込んだ後、前記ブロックからデータを一括消去する第2機能とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

G11C 17/00 612 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 634 A ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 634 E

Fターム (29件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AE05 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER19 ,  5F083ER22 ,  5F083GA01 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BC11 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-243677   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-115625   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置および書込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-180859   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社