半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-115625
公開番号（公開出願番号）：特開平11-306774
出願日： 1998年04月24日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】電源電圧が低下したときに書き込み時間の増大を抑制でき、且つチップ占有面積を増大させることなく電源電圧を低電圧化できる半導体記憶装置を提供することを目的としている。【解決手段】自動書き込み機能を有し、書き込み時に電源電圧を昇圧した電位を使用する半導体記憶装置において、書き込み分割制御回路26を設け、書き込み時のビット線の選択タイミングをずらすことにより、一度に書き込むビット数を低減して消費電流を減らし、低電源電圧時の電源回路24の電流供給能力不足を補うことを特徴としている。また、電源電圧のワイドレンジ化及び加速試験時の書き込み時間の短縮のために、高電源電圧時は、一度に選択するビット数を増やし、書き込み時間が増大するのを防ぐことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

自動書き込み機能を有し、書き込み時に電源電圧を昇圧した電位を使用する半導体記憶装置において、電源電圧を昇圧して書き込み用の高電圧を発生する昇圧手段と、データの書き込み時に、入力データをビット線に供給するか否かを制御するビット線書き込みスイッチを選択的にオン/オフ制御することにより、ビット線の選択タイミングをずらし、書き込みを複数回に分割して行うための書き込み分割制御手段と、前記書き込み分割制御手段で選択されたビット線に接続されているメモリセルに、前記昇圧手段から出力された高電圧を与えてデータを書き込む書き込み手段とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 , G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 17/00 611 Z , G11C 17/00 633 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

不揮発性メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-178202 出願人：株式会社東芝
送受信装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-321439 出願人：株式会社東海理化電機製作所
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-281368 出願人：株式会社日立製作所

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