特許
J-GLOBAL ID：200903044500906530

固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
江崎 孝之

江崎 孝之 について

, 
平山 照峰

平山 照峰 について

, 
神戸 秀夫

神戸 秀夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-110305
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294705
出願日： 2004年04月02日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 暗電流や画素欠陥の発生を抑制できる構成の固体撮像素子を提供する。【解決手段】 半導体基体1内に複数の光電変換素子4が形成され、半導体基体1上に、複数の光電変換素子4からの信号電荷を読み出す回路5がそれぞれ形成され、この複数の光電変換素子からの信号電荷を読み出す回路5とは反対側より光が照射される構成の固体撮像素子10を形成し、隣接する光電変換素子4を分離する素子分離領域2にゲッタリング領域15を設けるようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基体内に、複数の光電変換素子が形成され、前記半導体基体上に、前記複数の光電変換素子からの信号電荷を読み出す回路がそれぞれ形成され、前記複数の光電変換素子からの信号電荷を読み出す回路とは反対側より、光が照射される構成の固体撮像素子であって、 隣接する前記光電変換素子を分離する素子分離領域に、ゲッタリング領域が形成されている ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (4件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 R ,  H04N5/335 U
Fターム (21件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA07 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CB13 ,  4M118DA31 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GY31
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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