特許

J-GLOBAL ID：200903001302232875

半導体集積回路装置

発明者： 水野 弘之 ,  石橋 孝一郎 ,  志村 隆則 ,  服部 俊洋
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-359271
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191611
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】 高速性、低電力性、信頼性を両立したマイクロプロセッサ等の半導体集積回路装置を実現する。【解決手段】 半導体基板上に構成されたトランジスタを含む主回路(LOG)と、基板に印加される電圧を制御する基板バイアス制御回路(VBC)とを有し、主回路は基板に印加される電圧を制御するスイッチトランジスタ(MN1,MP1)を有し、基板バイアス制御回路から出力された制御信号がスイッチトランジスタのゲートに入力されており、かつ、制御信号は基板バイアス制御回路に戻るように構成されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つのトランジスタから構成された主回路と、上記トランジスタの基板に印加される電圧を制御する基板バイアス制御回路と、該基板バイアス制御回路を制御することで、該主回路に流れるサブスレッショルドリーク電流が多いアクティブ状態と、該サブスレッショルドリーク電流が小さいスタンバイ状態の少なくとも二つ状態に切り替えるスタンバイ制御回路を有し、上記基板バイアス制御回路に負電圧発生回路を内蔵するとともに、該負電圧発生回路で発生した負電圧を装置外部へ出力する端子を有する半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/408

FI (3件)：

H01L 27/04 G ,  G11C 11/34 335 C ,  G11C 11/34 354 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-181359   出願人：日本電気株式会社
• シリコン・オン・インシュレータ半導体装置及びバイアス電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-031348   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-071806   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその試験方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-220442   出願人：三菱電機株式会社