特許
J-GLOBAL ID：200903044536923619
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189054
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312270
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】高融点金属膜を用いた電極において、高融点金属膜下の半導体膜が後酸化工程において酸化されるのを抑制する。【解決手段】半導体基板10と、前記半導体基板上に絶縁的に設けられた積層膜とを具備し、前記積層膜は半導体膜12と、前記半導体膜上に設けられた高融点金属膜14と、前記金属膜と前記半導体膜との間に設けられ、これら膜の界面における前記半導体膜の酸化を防止するための導電性の酸化防止膜15と、前記半導体膜の側面に形成され、かつ前記半導体膜の上下端部にバーズビーク状に食い込むように形成された酸化膜19とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁的に設けられた積層膜とを具備し、前記積層膜は半導体膜と、前記半導体膜上に設けられた高融点金属からなる金属膜と、前記金属膜と前記半導体膜との間に設けられ、これら膜の界面における前記半導体膜の酸化を防止するための導電性の酸化防止膜と、前記半導体膜の側面に形成され、かつ前記半導体膜の上下端部にバーズビーク状に食い込むように形成された酸化膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 29/78
H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 R
, H01L 21/88 Q
, H01L 27/08 321 D
, H01L 29/78 301 X
