半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：柳瀬睦肇 , 宇都宮正明 , 渡部温 , 原田勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-055371
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218786
出願日： 2007年03月06日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】シリコン基板よりバンドギャップが大きい基板に、動作電圧が互いに大きく異なる2種類のトランジスタを混載することができる半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、SiC基板1に形成された第1のトランジスタと、第1のトランジスタ及びSiC基板1の上方に形成された第1の層間絶縁膜11と、第1の層間絶縁膜11上に形成された結晶化シリコン膜20と、結晶化シリコン膜20に形成された第2のトランジスタとを具備する。第1のトランジスタの動作電圧は、例えば100V〜1000Vであり、第2のトランジスタの動作電圧は、例えば3V〜5Vである。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ及び前記半導体基板の上又は上方に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体基板とは異なる材料により形成された半導体膜と、前記半導体膜に形成された第2のトランジスタと、を具備する半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/00 , H01L 27/08 , H01L 21/20

FI (7件)：

H01L27/08 102E , H01L29/78 613Z , H01L29/78 626C , H01L29/78 627G , H01L27/00 301A , H01L27/08 331E , H01L21/20

Fターム (53件)：

5F048AC01 , 5F048AC06 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB05 , 5F048BB16 , 5F048BC06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG06 , 5F048BG13 , 5F048CB01 , 5F048CB03 , 5F048CB04 , 5F048DA23 , 5F110AA30 , 5F110BB11 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD21 , 5F110EE31 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG44 , 5F110HL04 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN74 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110QQ19 , 5F152AA06 , 5F152BB02 , 5F152CC07 , 5F152CD12 , 5F152CD26 , 5F152CE04 , 5F152CE12 , 5F152CE24 , 5F152DD02 , 5F152FF03 , 5F152FF14 , 5F152FF28 , 5F152FF35 , 5F152FG04 , 5F152FG18

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-121416 出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (6件)

特開平3-270066
特開平4-080945
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-341910 出願人：白土猛英

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