基板処理システム構成部材の寿命を延ばす炭素ベース膜の使用

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-171106
公開番号（公開出願番号）：特開平10-096082
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】基板処理装置の構成部材の寿命を延ばすための手段を提供すること。【解決手段】本発明は、少なくとも一部が炭素ベース被膜100で覆われた内面を持つ処理チャンバ10を含む基板処理装置5を特徴する。炭素ベース被膜は、エッチングガスと、基板処理中に用いられるほかの反応物質からチャンバの内面を保護する。この被膜はまた残留物の蓄積を食い止め、微粒子を発生させず、被覆された材料内にある不純物を密閉する。好ましい実施形態において、炭素ベース被膜はダイヤモンドかダイヤモンド状炭素(DLC)の被膜のいずれかである。また、本発明は、基板処理中に用いられる反応物質から処理チャンバの内面を、その面の少なくとも一部をこうした炭素ベース被膜で覆うことにより保護する方法にも及んでいる。

請求項（抜粋）：

基板を処理するための基板処理装置であって、処理チャンバを画成し、少なくとも一部が炭素ベース被膜で覆われている内面を有するハウジングと、前記ハウジング内に配置された、処理中に前記基板を保持する基板ホルダと、を備える基板処理装置。

IPC (3件)：

C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (3件)：

C23C 16/44 Z , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-072695 出願人：松下電器産業株式会社
炭素膜作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-269270 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-229619

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