特許
J-GLOBAL ID：200903044594603268

磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサを有する薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果センサの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
佐々木 徹郎

佐々木 徹郎 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000382
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204092
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 従来技術よりもさらに大きなMR比及び抵抗変化ΔRsを得ることができ、しかも熱的に安定していると共にリードオーバレイド構造とすることも可能なMRセンサ、このMRセンサを備えた薄膜磁気ヘッド、MRセンサの製造方法、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 磁化方向が固定されている磁化固定層13と、磁化固定層上に積層された非磁性中間層14と、非磁性中間層上に積層されており印加される磁界に応じて磁化方向が可変の磁化自由層15と、磁化自由層上に積層された非磁性導電層16と、非磁性導電層上に積層されており非磁性導電層とは反対側の界面が酸化されている第1の保護金属層17’と、第1の保護金属層上に積層されており酸素供給を遮断するための第2の保護金属層18とを備えている。
請求項（抜粋）：
磁化方向が固定されている磁化固定層と、該磁化固定層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層されており印加される磁界に応じて磁化方向が可変の磁化自由層と、該磁化自由層上に積層された非磁性導電層と、該非磁性導電層上に積層されており該非磁性導電層とは反対側の界面が酸化されている第1の保護金属層と、該第1の保護金属層上に積層されており酸素供給を遮断するための第2の保護金属層とを備えたことを特徴とする磁気抵抗効果センサ。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12
FI (5件)：
H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 H ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (5件)：
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034DA07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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