特許
J-GLOBAL ID：200903048245686712
磁気抵抗センサ素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-035864
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291915
出願日： 2001年02月13日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 20Gb/in2 以上の超高密度の磁気記録情報の読み取りを可能とするスピンバルブ型の磁気抵抗センサ素子およびその製造方法を提供する。【課題手段】 下部シールド40上に、下部基体層42、シード層43、反強磁性磁化方向固定作用層44、強磁性磁化方向被固定層45、反磁性スペーサ層46、超薄膜層(CoFe)およびNiFe層からなる強磁性フリー層47、TaO層48、第1の保護層49(NiCr)が積層されている。硬質磁性材料により形成された一対の縦バイアス層76が、強磁性フリー層47の表面から側面にかけて、更にTaO層48および第1の保護層49それぞれの側面に接するように設けられている。これら縦バイアス層76上にはそれぞれ導電性のリード層78が形成されている。TaO層48および第1の保護層49が伝導電子の鏡面反射層として機能する。
請求項（抜粋）：
スピンバルブ構造を有する磁気抵抗センサ素子の製造方法であって、下部基体層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に反強磁性磁化方向固定作用層を形成する工程と、前記反強磁性磁化方向固定作用層上に強磁性磁化方向被固定層を形成する工程と、前記強磁性磁化方向被固定層上に非磁性スペーサ層を形成する工程と、前記非磁性スペーサ層上に強磁性フリー層を形成する工程と、前記強磁性フリー層上にタンタル(Ta)層を形成する工程と、前記タンタル層を酸化して酸化タンタル層とする工程と、前記酸化タンタル層上に第1の保護層を形成する工程と、前記第1の保護層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記第1の保護層、前記酸化タンタル層、および前記強磁性フリー層の一部分を選択的に除去する工程と、前記除去された領域に強磁性材料を再充填する工程と、前記再充填された強磁性材料層上に前記酸化タンタル層および前記第1の保護層に接する縦バイアス層を形成する工程と、前記縦バイアス層上に導電性リード層を形成する工程と、前記導電性リード層上に前記第1の保護層に達する第2の保護層を形成する工程と、前記第1の保護層および前記第2の保護層上に上部基体層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗センサ素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
