特許
J-GLOBAL ID：200903044597750385

液晶表示装置及びその製造方法

発明者：
井原 浩史

井原 浩史 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170401
公開番号（公開出願番号）：特開平11-015022
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】ドレインバスラインと画素電極間が短絡し点欠陥が発生する。又蓄積容量の付加に伴い開口率が低下する。【解決手段】蓄積容量電極108上の蓄積容量絶縁膜としてゲート絶縁膜114を構成する第1絶縁膜114Aか、パッシベーション膜115のいずれか一方を用いる。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に順次形成されたゲート電極とゲート絶縁膜とチャネル層とコンタクト層とソース・ドレイン電極とパッシベーション膜からなる薄膜トランジスタと、前記パッシベーション膜上に設けられ、且つパッシベーション膜に設けられたスルーホールを介し前記ソース電極と電気的に接続された画素電極とがマトリクス状に配置され、各画素電極に対向して前記ゲート電極と同層で前記ガラス基板上に形成された蓄積容量電極とを有する液晶表示装置において、前記蓄積容量電極と前記画素電極の間に介在する容量絶縁膜の少なくとも一部が、前記ゲート絶縁膜と一体的に形成された絶縁膜のみで構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (5件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 617 V
引用特許：
審査官引用 (9件)
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