特許

J-GLOBAL ID：200903044600876000

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 青島 賢一 ,  船橋 信彦 ,  町田 賢司 ,  久我 淳
出願人/特許権者： 日本放送協会
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-222707
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047739
出願日： 2006年08月17日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】デュアル構成のMR素子を使ったMRAMにおいて、さらに書き込み電流を低減し、MR素子の再生出力を向上させる。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、2層以上の強磁性層を、間に非磁性中間層を介して積層した積層構造を具備し、前記積層構造中、前記強磁性層の一が情報を磁化の形で保持する記録層を構成し、書き込み電流を前記積層構造の上端と下端の間で流す構成の磁気抵抗素子を含み、少なくとも一の強磁性層がホイスラー型合金膜を含む。【選択図】図3B

請求項（抜粋）：

2層以上の強磁性層を、間に非磁性中間層を介して積層した積層構造を具備し、前記積層構造中、前記強磁性層の一が情報を磁化の形で保持する記録層を構成し、書き込み電流を前記積層構造の上端と下端の間で流す構成の磁気抵抗素子を含む磁気ランダムアクセスメモリにおいて、 少なくとも一の強磁性層がCo2YX(Y=Fe,Mn,Cr,X=Al,Si,Ge,Sb,Ga)型のホイスラー型合金膜を含むことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (6件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/10 ,  G11C11/15 112 ,  H01F10/32

Fターム (35件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119DD10 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119JJ03 ,  5E049AA04 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5F092AA02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC46 ,  5F092CA02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-387331   出願人：ソニー株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 磁性体トンネル接合素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-092034   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置および半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-290639   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-203783   出願人：株式会社東芝
• ホイスラー合金膜の成膜方法及びトンネル磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-356203   出願人：株式会社アルバック
• 固体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-261601   出願人：国立大学法人名古屋大学, 三洋電機株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-387331   出願人：ソニー株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所