ホイスラー合金膜の成膜方法及びトンネル磁気抵抗素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：飯阪泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-356203
公開番号（公開出願番号）：特開2006-161120
出願日： 2004年12月09日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】ターゲットからの組成ずれを抑えられるホイスラー合金膜の成膜方法及びこのホイスラー合金膜を有するトンネル磁気抵抗素子を提供すること。【解決手段】放電ガスとしてキセノンを用いて、Co2MnAl、Co2MnSi、CoCrAl、NiMnSb、SrLaMnO、PtMnSb、Mn2VAl、Fe2VAl、Co2FeSi、Co2MnGe、Co2FexCr(1-x)Alなどのホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放電ガスとしてキセノンを用いてホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜することを特徴とするホイスラー合金膜の成膜方法。

IPC (13件)：

C23C 14/14 , C22C 19/07 , C22C 22/00 , C22C 30/00 , C22C 32/00 , C22C 38/00 , C23C 14/34 , H01F 10/32 , H01F 41/18 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 27/105 , H01L 21/824

FI (12件)：

C23C14/14 F , C22C19/07 C , C22C22/00 , C22C30/00 , C22C32/00 Z , C22C38/00 303A , C23C14/34 P , H01F10/32 , H01F41/18 , H01L43/08 M , H01L43/10 , H01L27/10 447

Fターム (21件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA07 , 4K029BA21 , 4K029BA24 , 4K029BA25 , 4K029BA26 , 4K029BA44 , 4K029BB02 , 4K029BC06 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 4K029GA01 , 5E049AA10 , 5E049BA16 , 5E049GC02 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (1件)

電子銃の組立方法及び組立用治具
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-295176 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (8件)

磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気ヘッド、メモリー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-150962 出願人：松下電器産業株式会社
固定層に半金属強磁性体ホイスラー合金を有する交換結合構造の磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-026561 出願人：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-292856 出願人：株式会社東芝

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