特許
J-GLOBAL ID：200903044653389747

半導体装置及びその製造方法

発明者：
高尾 幸弘

高尾 幸弘 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-092688
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284381
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】チップサイズパッケージの実装時における信頼性を向上させる。【解決手段】上面の面積を底面の面積より大きくすると共に、側面をくびれ形状に湾曲させた柱状端子9を形成し、この上に半田ボール12を搭載する。これにより、柱状端子9と半田ボール12の接触面積Sが従来のSに比して大きくできるため、せん断応力に対する強度を向上することができる。また、くびれ形状に湾曲させたことにより、剛性が低減し(つまりしなやかになり)、弾力性が増すことで、応力緩和性能も改善される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された金属電極パッドと、この金属電極パッドに接続され前記半導体基板の表面に延在する配線層と、この配線層を含む半導体基板表面を被覆する絶縁層と、この絶縁層に形成された開口部と、この開口部に形成され前記配線層上に形成された柱状端子と、この柱状端子上面に搭載された半田ボールとを有し、前記柱状端子の上面の面積を底面の面積より大きくすると共に、この柱状端子の側面をくびれ形状に湾曲させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12
FI (6件)：
H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 S ,  H01L 23/12 L
Fターム (11件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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