特許

J-GLOBAL ID：200903044668621336

半導体装置の製造方法

発明者： 安藤 公一 ,  小山 晋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167520
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357659
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜上に汚染物質の混入させることなく膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁膜が形成された半導体基板を塩素を含有するガス雰囲気の炉内で塩化物が反応生成する温度に加熱処理する工程と、炉内で絶縁膜上に膜を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜が形成された半導体基板を塩素を含有するガス雰囲気の炉内で塩化物が反応生成する温度に加熱処理する工程と、前記炉内で前記絶縁膜上に膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (32件)：

4K030AA07 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB03 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040FC00 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF01 ,  5F045BB14 ,  5F045HA06 ,  5F045HA23

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-012107   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-266434
  
• シリコン酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-104763   出願人：ソニー株式会社
• 特公平6-060401
  
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-084501   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-266434
  
• 特公平6-060401