特許

J-GLOBAL ID：200903044691162551

薄膜形成装置および薄膜形成方法

発明者： 内海 慶春 ,  織田 一彦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 上代 哲司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-218821
公開番号（公開出願番号）：特開2002-030413
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 基材との密着性、表面平滑性に優れたセラミックス膜、非晶質炭素膜を提供する。【解決手段】 陰極アーク式蒸発源と、基材に負のバイアス電圧を印可するための電源と、薄膜形成手段として、スパッタ蒸発源、あるいはフィルタード蒸発源、あるいは陰極の蒸着面を含む領域に、蒸発面での磁束密度が5×10-4T以上、1.5×10-1T以下の磁界を形成する磁界形成手段を備えた陰極アーク式蒸発源を備えた薄膜形成装置。

請求項（抜粋）：

基材上に薄膜を形成するための薄膜形成装置であって、少なくとも1基の陰極アーク式蒸発源と、基材に負のバイアス電圧を印可するための電源と、少なくとも1基のスパッタ蒸発源を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (6件)：

C23C 14/02 ,  C23C 14/24 ,  C01B 21/06 ,  C01B 21/076 ,  C01B 31/02 101 ,  C01G 23/00

FI (6件)：

C23C 14/02 Z ,  C23C 14/24 F ,  C01B 21/06 N ,  C01B 21/076 B ,  C01B 31/02 101 Z ,  C01G 23/00 C

Fターム (28件)：

4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  4G047CA01 ,  4G047CB04 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029BA34 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BA64 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BC02 ,  4K029BD03 ,  4K029BD04 ,  4K029BD05 ,  4K029CA02 ,  4K029CA06 ,  4K029CA13 ,  4K029DB17 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029EA05 ,  4K029FA04 ,  4K029FA05 ,  4K029JA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 金属及びセラミック基体のコーティング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-337804   出願人：ハウツァーインダストリーズベスローテンフェンノートシャップ
• 耐酸化・耐摩耗性被膜付き物品およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-163070   出願人：住友金属鉱山株式会社
• 磁気媒体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-138143   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-194167