特許
J-GLOBAL ID:200903044733629145
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
芝野 正雅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-088214
公開番号(公開出願番号):特開2001-274410
出願日: 2000年03月28日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】 ゲート耐圧を高くすることにより信頼性の向上を図り、ゲート電極の形状不良によるリーク防止及び信号線の断線防止を図った半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁性基板10上に、レーザ照射3によって形成した多結晶シリコン膜2に生じた突起Pの高さを吸収するSOG膜から成る平坦化絶縁膜100と、絶縁膜であるSiO2膜4とから成るゲート絶縁膜を備えており、その上にゲート電極5を備えたTFTとすることにより、ゲート耐圧が高く信頼性湖上を図り、ゲート電極形状不良によるリーク及び信号線の断線を防止することができる。
請求項(抜粋):
基板上に、半導体層、該半導体層上にゲート絶縁膜及びゲート電極を順に積層して成る半導体装置であって、前記半導体層上のゲート絶縁膜は平坦化絶縁膜から成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 348
, H01L 21/283
, H01L 21/768
FI (7件):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 348 A
, H01L 21/283 G
, H01L 29/78 617 V
, G02F 1/136 500
, H01L 21/90 M
, H01L 21/90 Q
Fターム (80件):
2H092JA25
, 2H092JA36
, 2H092JA46
, 2H092KA04
, 2H092KA12
, 2H092KA18
, 2H092KA24
, 2H092KB22
, 2H092MA30
, 2H092NA15
, 2H092NA16
, 2H092QA07
, 4M104BB02
, 4M104BB13
, 4M104BB16
, 4M104BB36
, 4M104CC05
, 4M104EE03
, 4M104EE15
, 4M104GG20
, 4M104HH20
, 5C094AA32
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA15
, 5C094DB01
, 5C094DB04
, 5C094FA02
, 5C094FB02
, 5C094FB15
, 5C094GB10
, 5F033HH08
, 5F033HH17
, 5F033HH20
, 5F033HH38
, 5F033JJ01
, 5F033JJ08
, 5F033JJ38
, 5F033KK04
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ37
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR09
, 5F033RR27
, 5F033SS22
, 5F033TT04
, 5F033VV06
, 5F033VV15
, 5F033XX01
, 5F033XX31
, 5F110AA12
, 5F110AA18
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110EE04
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF09
, 5F110FF21
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG44
, 5F110HL03
, 5F110HL07
, 5F110NN02
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN72
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110QQ19
引用特許:
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