半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114218
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306381
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】データのライト動作時にはリード用データバス上にリード専用の検出電流が流れないようにする。【解決手段】メモリセルへのライト動作時に、アドレスに基づき選択されたセンスアンプ31を介してリードデータバスアンプ(S/B)33の高電位電源Viiからリード制御部41のグランド側にリード検出電流が流れる経路を遮断する遮断手段として、ブロック選択信号とライト状態信号との論理をとることにより、ライト状態信号が活性化されたときにリード制御部41の電位をS/B33側と同じ電源電位にする論理回路42,43を設けることで、データのライト動作時には不要なリード検出電流が流れないようにして、ライト動作時における消費電流を抑えることができるようにする。

請求項（抜粋）：

選択されたメモリセルのデータを増幅するセンスアンプおよびバスアンプを有する半導体記憶装置であって、上記メモリセルへのデータのライト動作時に、アドレスに基づき選択されたセンスアンプおよびバスアンプを介してリード検出電流が流れる経路を遮断する遮断手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/409 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

G11C 11/34 354 R , G11C 11/34 354 H , H01L 27/10 681 E

Fターム (10件)：

5B024AA01 , 5B024AA03 , 5B024BA09 , 5B024BA21 , 5B024BA29 , 5B024CA07 , 5F083AD00 , 5F083GA05 , 5F083GA11 , 5F083LA03

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-140767 出願人：株式会社沖マイクロデザイン宮崎, 沖電気工業株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-262382 出願人：日本電気株式会社
特開平4-079094

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