特許
J-GLOBAL ID：200903044774258607

マスクパターンの作製方法及びフォトマスク

発明者：
田中 聡

田中 聡 について

, 
小谷 敏也

小谷 敏也 について

, 
井上 壮一

井上 壮一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182431
公開番号（公開出願番号）：特開2000-019708
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 データ量の爆発的な増大を抑え、所望の転写パターンを高精度で作製する。【解決手段】 露光装置を介して被露光基板上に所望のパターンを形成するために用いるマスクパターンの作製方法において、予め定められたサイズ以下の範囲のパターン配置に依存して補正量が決定される第1の成分に関する補正を設計データに対して加える工程と、この補正された設計データをマスク描画データに変換する工程と、このマスク描画データを描画装置に導入して描画を行う際に第1の成分以外の第2の成分に関する補正を行う工程とを含む。
請求項（抜粋）：
露光装置を介して被露光基板上に所望のパターンを形成するために用いるマスクパターンの作製方法において、予め定められたサイズ以下の範囲のパターン配置に依存して補正量が決定される第1の成分に関する補正を設計データに対して加える工程と、この補正された設計データをマスク描画データに変換する工程と、このマスク描画データを描画装置に導入して描画を行う際に前記第1の成分以外の第2の成分に関する補正を行う工程とを含むことを特徴とするマスクパターンの作製方法。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (3件)：
2H095BB01 ,  2H095BB10 ,  2H095BB36
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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