特許
J-GLOBAL ID:200903044780528730

不揮発性記憶システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 玉村 静世
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-164188
公開番号(公開出願番号):特開2002-358246
出願日: 2001年05月31日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 不揮発性メモリシステムにおける経時的に発生する書込み不良に対する救済効率を向上させる。【解決手段】 複数の不揮発性記憶装置(FLS1〜FLS16)と制御装置(CTR)とを有する。制御装置は、動作対象の不揮発性記憶装置に対する書込みエラーを検出したとき、書込みエラーに係る記憶領域を複数の不揮発性記憶装置の内の他の不揮発性記憶装置の記憶領域に代替させたことを示すチップ間代替情報を当該エラーに係る記憶領域の不揮発性記憶装置に設定することが可能であり、動作対象の不揮発性記憶装置からチップ間代替情報を得たとき当該チップ間代替情報が示す他の不揮発性記憶装置を動作対象に変更可能なものである。一つの不揮発性記憶装置で発生した書込みエラーの救済にチップ間代替が可能になる。
請求項(抜粋):
読み出し、消去及び書込み可能な複数の不揮発性記憶装置と、外部からの要求に応答して前記不揮発性記憶装置の動作を制御する制御装置とを有し、前記制御装置は、前記複数の記憶装置の内の動作対象の不揮発性記憶装置に対する書込みエラーを検出したとき、書込みエラーに係る記憶領域を前記複数の記憶装置の内の他の不揮発性記憶装置の記憶領域に代替させたことを示すチップ間代替情報を当該エラーに係る記憶領域の不揮発性記憶装置に設定することが可能であり、また、動作対象の不揮発性記憶装置からチップ間代替情報を得たとき当該チップ間代替情報が示す前記他の不揮発性記憶装置を動作対象に変更可能であることを特徴とする不揮発性記憶システム。
IPC (3件):
G06F 12/16 310 ,  G06F 12/06 523 ,  G11C 16/02
FI (4件):
G06F 12/16 310 R ,  G06F 12/06 523 C ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 611 A
Fターム (7件):
5B018GA04 ,  5B018HA21 ,  5B018KA13 ,  5B018KA15 ,  5B018NA06 ,  5B025AE00 ,  5B060CA15
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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