特許
J-GLOBAL ID：200903068878858580
GaN系半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009681
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208813
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 オーミック電極とショットキー電極とを同時に有しながら容易に製造できるGaN系半導体素子を提供することであり、また、その製造方法を提供すること。【解決手段】 n型のGaN系結晶層1上に直接または間接的に他のGaN系結晶層2を成長させ、結晶成長で形成されたままの面である前記他の結晶層2の上面2aから部分的にドライエッチングを施すことによって、前記結晶層1に部分的な露出面1bを形成する。この状態で、仕事関数5eV以上の同じ電極材料を用いて、前記2つの面2a、1bに電極を形成(好ましくは同時に)することによって、露出面1bにはオーミック電極3が形成され、結晶層2の上面2aにはショットキー電極4が形成され、GaN系半導体素子が得られる。
請求項（抜粋）：
n型のGaN系結晶層を有し、該結晶層にはドライエッチングが施されてなる面が形成され、該面には仕事関数5eV以上の電極材料が接合されてオーミック電極が形成されており、前記結晶層の表面のうち結晶成長で形成されたままの面、または前記結晶層に積層された他のGaN系結晶層には、ショットキー電極が形成されていることを特徴とするGaN系半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
, H01L 29/43
, H01L 29/872
H01L 33/00 C
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/46 B
, H01L 29/48 F
, H01L 29/48 P
4M104AA04
, 4M104BB05
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD94
, 4M104GG04
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA82
, 5F041CA85
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041CA99
, 5F041CB36
