特許

J-GLOBAL ID：200903044819025080

不揮発性材料のエッチング方法および装置

発明者： 八木 勝嗣 ,  鳥居 善三 ,  吉岡 健 ,  佐藤 孝 ,  金井 三郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 沼形 義彰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-217156
公開番号（公開出願番号）：特開2002-030470
出願日： 2000年07月18日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 反応生成物が不揮発性である被エッチング材料のエッチングでは、反応性ガスと被エッチング材料による反応生成物が被エッチング材料の側壁に付着しエッチング形状がテーパー状に広がってしまうため、処理後の側壁形状の垂直性を向上することが課題となっていた。【解決手段】 本発明は、基板上に形成された不揮発性材料膜を、該材料の上に形成されたマスクを介し、反応性ガスを用いてプラズマエッチング処理室内で一定時間ドライエッチング処理する第1のステップと、第1のステップで被エッチング膜の側壁およびマスク材の側壁に付着した反応生成物を液体にて洗浄・剥離し、加熱・乾燥させる第2のステップからなり、この第1のステップと第2のステップを、エッチング深さが目標値に達するまで少なくとも複数回繰り返す。この不揮発性材料の処理方法によって、垂直なエッチングを阻害する反応生成物をその都度取り除き、被エッチング材料を露出させることで、エッチング処理後の側壁形状の垂直性を向上できる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された不揮発性材料膜を、該材料の上に形成されたマスクを介し、反応性ガスを用いてプラズマエッチング処理室内で一定時間ドライエッチング処理する第1のステップと、第1のステップで被エッチング膜の側壁およびマスク材の側壁に付着した反応生成物を、液体にて洗浄・剥離し、基板を加熱・乾燥させる第2のステップからなり、この第1のステップと第2のステップを、エッチング深さが目標値に達するまで少なくとも複数回繰り返す事を特徴とする、不揮発性材料のエッチング処理方法。

IPC (8件)：

C23F 4/00 ,  C23F 1/00 103 ,  G11B 5/31 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3213

FI (9件)：

C23F 4/00 A ,  C23F 1/00 103 ,  G11B 5/31 M ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/306 J ,  H01L 21/88 D

Fターム (70件)：

4K057DA12 ,  4K057DB01 ,  4K057DB03 ,  4K057DB04 ,  4K057DB11 ,  4K057DC10 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE04 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DK10 ,  4K057DM02 ,  4K057DM36 ,  4K057DN01 ,  4K057WA01 ,  4K057WA12 ,  4K057WB01 ,  4K057WB03 ,  4K057WB04 ,  4K057WB11 ,  4K057WC10 ,  4K057WE02 ,  4K057WE07 ,  4K057WE21 ,  4K057WG02 ,  4K057WK01 ,  4K057WM03 ,  4K057WM18 ,  4K057WN01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104DD65 ,  4M104HH20 ,  5D033DA08 ,  5D033DA21 ,  5D033DA31 ,  5F004AA02 ,  5F004AA09 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EA10 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR03 ,  5F033XX00 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043BB27 ,  5F043EE35 ,  5F043EE36 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 強誘電体膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-126909   出願人：シャープ株式会社
• 特開平2-301010
  
• ドライエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-256799   出願人：松下電器産業株式会社
• 試料処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-051455   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ処理における基板温度制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-145736   出願人：日電アネルバ株式会社
• 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにエッチングガスによる加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-270178   出願人：株式会社日立製作所