特許
J-GLOBAL ID：200903044844411874
酸化亜鉛ベースの半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲吉▼川 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-047782
公開番号（公開出願番号）：特開2008-252075
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】酸化亜鉛ベースの半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板を用意する。次に、原子層堆積ベースのプロセスにより、発光領域を含むZnOベースの多層構造を基板上に形成する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板を用意するステップと、
原子層堆積プロセスにより、前記基板上にZnOベースの多層構造を形成するステップであって、前記ZnOベースの多層構造は発光領域を含む、形成するステップと、
を含む半導体発光素子を製造する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
引用文献：
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