III-V族化合物半導体、及びそれを用いた半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193448
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024212
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】形状、サイズに制限がなく、且つ低コストで、光電気特性(光導電性、光起電流、光起電力、量子効率)に優れ、広範囲の光学ギャップが自由に選べ、光半導体としての機能が高性能で、経時変化が少なく、応答性、耐環境特性及び耐高温性に優れたIII-V族化合物半導体を提供すること。【解決手段】周期律表におけるIII族元素とV族元素とを主体としてなり、水素原子を0.1原子%〜40原子%含み、且つ、Be、Mg、Ca、Zn、及びSrから選ばれた少なくとも1つの元素をIII族元素とV族元素との原子数の総和に対して100ppm〜20原子%含むことを特徴とするIII-V族化合物半導体である。

請求項（抜粋）：

周期律表におけるIII族元素とV族元素とを主体としてなり、水素原子を0.1原子%〜40原子%含み、且つ、Be、Mg、Ca、Zn、及びSrから選ばれた少なくとも1つの元素をIII族元素とV族元素との原子数の総和に対して100ppm〜20原子%含むことを特徴とするIII-V族化合物半導体。

IPC (4件)：

H01L 31/10 , H01L 21/205 , H01L 31/04 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 31/10 A , H01L 21/205 , H01L 33/00 A , H01L 31/04 E

Fターム (61件)：

5F041AA43 , 5F041CA34 , 5F041CA47 , 5F041CA61 , 5F041FF01 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AA16 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF10 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045CA09 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA59 , 5F045DA61 , 5F045DA62 , 5F045DA63 , 5F045DA65 , 5F045EE06 , 5F045EE19 , 5F045EH03 , 5F045EH11 , 5F049MB07 , 5F049MB11 , 5F049NA03 , 5F049NA07 , 5F049PA20 , 5F049QA20 , 5F049SS03 , 5F051AA08 , 5F051AA16 , 5F051BA12 , 5F051BA18 , 5F051CA14 , 5F051DA20 , 5F051GA04

引用特許：

審査官引用 (12件)

非晶質光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-295449 出願人：富士ゼロックス株式会社
微結晶化合物光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-051931 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開平3-132081

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