特許
J-GLOBAL ID：200903044844485444

電荷移動錯体薄膜、及び、電界効果型トランジスタ

発明者：
鵜川 彰人

鵜川 彰人 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-355819
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123354
出願日： 2003年10月16日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】高い動作性能を有する電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、(A)ソース/ドレイン電極14、(B)該ソース/ドレイン電極14の間に形成されたチャネル形成領域層16、及び、(C)ゲート絶縁膜13を介してチャネル形成領域層16に対向して設けられたゲート電極12を備えており、チャネル形成領域層16は、その厚さ方向に、電子供与性のドナー分子層と電子受容性のアクセプター分子層とが順次積層されて成る分離積層型の電荷移動錯体薄膜15から構成されている。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
電子供与性のドナー分子層と電子受容性のアクセプター分子層とが順次積層されて成ることを特徴とする分離積層型の電荷移動錯体薄膜。
IPC (3件)：
H01L51/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (5件)：
H01L29/28 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618A
Fターム (45件)：
5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF25 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 電界効果型トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-011871   出願人：日本電気株式会社
  • 電界効果型トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-039712   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平1-166528
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審査官引用 (6件)
  • 特開平1-166528
  • 特開平3-173832
  • 特開平3-173832
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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