特許
J-GLOBAL ID：200903044858131378

集積化光半導体装置

発明者：
遠山 政樹

遠山 政樹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237402
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084166
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 従来の半導体光変調器/半導体レーザ集積化光源では、レーザ領域と変調器領域を完全には電気的に分離することができず、波長チャープの増大を引き起こすという問題点があった。【解決手段】 本発明は、レーザ領域と変調器領域とを接続する光導波層上に電極を設けて、レーザ領域と変調器領域とを完全に電気的に分離し、波長チャープの増大を引き起こすことのない集積化光半導体装置を提供するものであることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数の光半導体素子を光導波路を介して接続してなる集積化光半導体装置において、前記光導波路の一部上に電極を設けたことを特徴とする集積化光半導体装置。
IPC (4件)：
H01S 3/18 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42 ,  G02F 1/025
FI (4件)：
H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  G02F 1/025 ,  G02B 6/12 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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