特許
J-GLOBAL ID：200903044875527820
サーミスタ内蔵電力用半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-383927
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188336
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 従来のIGBTやFETの電力用半導体チップを複数個,銅回路に固着してインバータ等を構成した電力用半導体モジュールに於いては,通電電流が大きくなると半導体チップの温度が高くなる。チップ温度が高くなるとスイッチング損失が大きくなり,益々温度が高くなる欠点があった。温度が高くなってもスイッチング損失が大きくならないように改良することが課題であった。【解決手段】 銅回路上の電力用半導体チップに近い位置にサーミスタを配置してゲートに電気接続して形成することによって,温度が高くなればゲート抵抗値が小さくなる方向に回路を構成した。温度が高くなってゲート抵抗値が小さくなればスイッチング損失が小さくなるので従来の欠点を排除した。
請求項（抜粋）：
金属ベースの上面に絶縁層を介して銅回路を形成し該銅回路上に複数個のIGBT又はFETの電力用半導体チップを固着して,電気回路を構成し,該電気回路の電力を外部へ接続するための電力端子金具を具備し,銅回路と該電力用半導体チップ及び先端を除く電力端子金具を覆う充填材によって充填され該電力端子金具を導出するとともに上記金属ベースの下面を露出して充填され形成される電力用半導体モジュールにおいて,上記電力用半導体チップの近傍にサーミスタを配置し,該半導体チップのゲートに該サーミスタを直列接続して制御用端子として導出されたことを特徴とするサーミスタ内蔵電力用半導体モジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02M 1/00 R
, H01L 23/56 D
5H740BA11
, 5H740BB01
, 5H740BB05
, 5H740MM08
, 5H740PP03
