特許
J-GLOBAL ID：200903044920124766

半導体装置及びその製造方法

発明者：
野間 崇

野間 崇 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-039902
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228913
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】 受光素子を搭載した裏面入射型の半導体装置及びその製造方法において、製造コストを増大させることなく当該性能の向上を図る。【解決手段】 受光素子11及びそのパッド電極13が形成された半導体基板10の表面に、支持体15を接着する。次に、支持体15をエッチングして、支持体15を貫通してパッド電極13を露出するビアホール16を形成する。そして、パッド電極13と接続されビアホール16を通して支持体15の表面に延びる配線17を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板10を複数の半導体チップ10Aに分離する。この半導体装置は、支持体15と回路基板30とが対向するようにして実装される。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
回路基板と接続される半導体装置であって、 半導体チップの表面に形成され、当該半導体チップの裏面から入射する光を受光する受光素子と、 前記受光素子と接続され前記半導体チップの表面に形成されたパッド電極と、 前記半導体チップの表面に形成された支持体と、 前記支持体を貫通して前記パッド電極の表面を露出するビアホールと、 前記パッド電極と接続され前記ビアホールを通して前記支持体の表面に延びる配線と、を有し、 前記回路基板と前記支持体に延びる配線とが対向して電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/14 ,  H01L 23/12 ,  H04N 5/335 ,  H01L 27/148
FI (5件)：
H01L27/14 D ,  H01L23/12 501T ,  H01L23/12 501Z ,  H04N5/335 V ,  H01L27/14 B
Fターム (20件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118CA02 ,  4M118EA01 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  4M118GB04 ,  4M118GC07 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX21 ,  5C024GX24 ,  5C024GY01 ,  5F088AA20 ,  5F088BA16 ,  5F088BB03 ,  5F088JA13
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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