特許
J-GLOBAL ID:200903044992456216
管内面の表面処理方法及び装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
原崎 正
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-247820
公開番号(公開出願番号):特開2000-064040
出願日: 1998年08月17日
公開日(公表日): 2000年02月29日
要約:
【要約】【課題】 少なくとも内壁が導電性である管形状物内にマイクロ波あるいは高周波プラズマを生成し、管形状物に繰り返し負電位のパルスバイアスを印加することによって管内壁にイオンを照射あるいは注入することによって表面処理を施し、様々な特性を改善することにある。【解決手段】 真空容器1内に少なくとも内壁が導電性である管形状物2を配置し、真空容器1内に所望のイオン発生原料ガスを導入すると同時に減圧状態に維持し、マイクロ波あるいは高周波放電によって管2内にプラズマを生成し、管軸方向に磁力線が形成されるよう磁場形成手段10を配置し、管内壁に負電位のパルス電圧を繰り返し印加することによって、管内壁にプラズマ中の正イオンを引き込み、照射する。
請求項(抜粋):
真空容器内に少なくとも内壁が導電性である管形状物を配置し、真空容器内に所望のイオン発生原料ガスを導入すると同時に減圧状態に維持し、マイクロ波あるいは高周波放電によって管内にプラズマを生成し、管軸方向に磁力線が形成されるよう磁場形成手段を配置し、管内壁に負電位のパルス電圧を繰り返し印加することによって、管内壁にプラズマ中の正イオンを引き込み、照射することを特徴とする管内面の表面処理方法。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C 14/48 Z
, H05H 1/46 A
Fターム (6件):
4K029AA02
, 4K029AA27
, 4K029BD00
, 4K029CA10
, 4K029DA04
, 4K029DE00
引用特許:
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