特許
J-GLOBAL ID：200903045002230444
多層配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019610
公開番号（公開出願番号）：特開2002-223077
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 多層配線基板で電気ノイズと同時スイッチングノイズを低減する。【解決手段】 配線長L1の第一の信号配線群3と、配線長L2の第二の信号配線群7と、電源層もしくは接地層8,10,11から成る内蔵キャパシタとを具備し、0.8×[(0.670/εr-0.525)×e{-2×(b+t)/h}+1]1/2≦L2/L1≦1.2×[(0.670/εr-0.525)×e{-2×(b+t)/h}+1]1/2(ただし、L1>L2、tは第一の信号配線群の信号配線厚み、hは第一の信号配線群と第一の信号配線群に対向させて形成された電源層もしくは接地層との間の絶縁層の厚み、bは絶縁被覆層厚み、εrは絶縁層および絶縁被覆層の比誘電率、eは自然対数)を満たし、内蔵キャパシタは半導体素子14の動作周波数帯域から高調波成分の周波数帯域の範囲において異なる共振周波数を有する複数のものが並列接続され、反共振周波数における合成インピーダンス値を所定値以下とした。
請求項（抜粋）：
上面に半導体素子が搭載されるとともに複数の絶縁層が積層されて成る絶縁基板と、該絶縁基板の表面に第一の配線長L1を有する信号配線が複数形成されて成る第一の信号配線群および前記絶縁層を挟んで前記第一の信号配線群に対向させて形成された電源層もしくは接地層ならびに前記第一の信号配線群を被覆する絶縁被覆層で構成されたマイクロストリップ線路部と、前記絶縁基板の内部に第二の配線長L2を有する信号配線が複数形成されて成る第二の信号配線群および前記絶縁層を介して前記第二の信号配線群に対向させてその上下に形成された電源層もしくは接地層で構成されたストリップ線路部と、前記絶縁基板の内部に電源層と接地層とが前記絶縁層を挟んで対向配置されて形成された内蔵キャパシタとを具備した多層配線基板であって、前記第一の配線長L1と前記第二の配線長L2は、0.8×[(0.670/εr-0.525)×e{-2×(b+t)/h}+1]1/2≦L2/L1≦1.2×[(0.670/εr-0.525)×e{-2×(b+t)/h}+1]1/2(ただし、L1>L2、tは第一の信号配線群の信号配線の厚み、hは第一の信号配線群と第一の信号配線群に対向させて形成された電源層もしくは接地層との間の絶縁層の厚み、bは絶縁被覆層の厚み、εrは絶縁層および絶縁被覆層の比誘電率、eは自然対数である)を満たすとともに、前記内蔵キャパシタは、前記半導体素子の動作周波数帯域から高調波成分の周波数帯域の範囲において異なる共振周波数を有する複数のものが並列接続されるように形成され、かつ前記異なる共振周波数間に発生する反共振周波数における合成インピーダンス値が所定値以下であることを特徴とする多層配線基板。
IPC (4件)：
H05K 3/46
, H01L 23/12
, H01L 23/12 301
, H01P 3/08
H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 Z
, H01L 23/12 301 C
, H01P 3/08
, H01L 23/12 N
5E346AA33
, 5E346AA35
, 5E346BB01
, 5E346BB02
, 5E346BB03
, 5E346BB04
, 5E346BB06
, 5E346BB11
, 5E346BB15
, 5E346CC01
, 5E346CC21
, 5E346CC31
, 5E346FF01
, 5E346HH02
, 5E346HH04
, 5E346HH06
, 5J014CA33
