特許

J-GLOBAL ID：200903045102780689

半導体装置

発明者： 土屋 義規 ,  古賀 淳二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-240846
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060045
出願日： 2004年08月20日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】 原子レベルで平坦な界面をもって基板上に堆積され、しかも低抵抗のシリサイド層を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 素子分離領域を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成された拡散領域と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記拡散領域上に形成されたシリサイド層(3)とを具備するMISトランジスタを含む半導体装置である。前記シリサイド層は、前記半導体基板との界面にEr、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Yb、Lu、およびPtからなる群から選択される少なくとも1種の金属のシリサイドからなる界面層(5)を有することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

素子分離領域を有する半導体基板と、 前記半導体基板に形成された拡散領域と、 前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記拡散領域上に形成されたシリサイド層とを具備し、 前記シリサイド層は、前記半導体基板との界面にEr、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Yb、Lu、およびPtからなる群から選択される少なくとも1種の金属のシリサイドからなる界面層を有するMISトランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092

FI (9件)：

H01L29/78 301P ,  H01L21/28 301S ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/08 321D

Fターム (118件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB19 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BC18 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE31 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA10 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ18 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法と半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-168760   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-025818   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の電極部及び電極部の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-146947   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-087096   出願人：株式会社東芝