特許
J-GLOBAL ID：200903045152818458
半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-037290
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233531
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】これまでの窒化物系化合物半導体素子に代表されるメサ構造の上下両段に一対の電極を有する素子においては、上段の下端である角の部分に電界が集中し、素子の信頼性を著しく低下させるという問題点があった。【解決手段】不純物の高濃度から減少していく領域をこの角の部分から上段部内にまで拡大することにより、電流の流れる道筋を変更し、角部への電界の集中を抑制する。
請求項（抜粋）：
メサ構造を具備し、該メサ構造の上段面表面と下段面表面とに一対の電極を具備する半導体素子において、前記下段面表面の電極の直下の半導体層表面側及び前記メサ底部側の側面の半導体層表面側の不純物濃度を、下段部表面電極直下の半導体層の裏面側より高くしたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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バイポーラトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-244718
出願人：株式会社東芝
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特開昭61-280665
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特開昭61-280665
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