特許
J-GLOBAL ID：200903045256187581
レジストパターン形成方法、デバイスの作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-024783
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235574
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】レジスト膜上にナノメータサイズのパターニングを施す。【解決手段】レジスト膜22を構成する分子間の共鳴エネルギーに相当する光の波長よりも長いいわゆる非共鳴光をフォトマスク13に対して照射し、当該フォトマスク13に描かれた回路パターンに基づき、ナノメータサイズの領域に近接場光を発生させ、発生させた近接場光によりレジスト膜22を感光させることにより、回路パターンをレジスト膜22上に転写したレジストパターンを形成する。このレジストパターンに基づいてデバイスの微細加工も実現することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
フォトマスクに描かれた回路パターンを試料の表面に塗布したレジスト膜上に転写するレジストパターン形成方法において、
フォトマスクに対して、上記レジスト膜を構成する分子間の共鳴エネルギーに基づく波長より長い光を照射することにより、上記回路パターンに応じた局所領域に近接場光を発生させ、
上記発生させた近接場光により上記レジスト膜を感光させること
を特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502D
, G03F7/20 521
