特許
J-GLOBAL ID：200903045270358534
近傍の影響を考慮した光学的近接効果補正を実行する装置、方法およびコンピュータ・プログラム製品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 清水 邦明
, 林 鉐三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-128303
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313353
出願日： 2006年05月02日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：
【課題】マスクに対する近傍の特徴構造の影響を考慮するマスク・パターンの最適化のためのモデル・ベースの光学的近接効果補正(MOPC)バイアス技術を提供する。【解決手段】目的パターンから予測パターンを生成しS501、バイアスを決定するための複数の評価ポイントを選択するS502。次に、各評価ポイントに対して多変数方程式の組を生成するS506。各方程式は、マスクに対する近傍の特徴構造の影響を表現する。方程式を解いて、各評価ポイントでのバイアス量を決定しS512、それに従ってマスクを最適化する。このプロセスを繰り返すことによって、マスク・パターンの最適化を進める。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板表面に結像すべきマスク・パターンを最適化する方法であって、
(a)結像すべき目的パターンを生成する工程と、
(b)目的パターンから、基板表面に形成すべき予測パターンをシミュレートする工程と、
(c)目的パターンの特徴構造を区分化し、少なくとも2つの区分を評価用として選択する工程と、
(d)少なくとも2つの区分の少なくとも1つの他の区分からの影響を考慮することによって、少なくとも2つの区分の各々について必要とされるバイアスの量を計算する工程と、
(e)工程(d)の結果に従って目的パターンを修正して、マスク・パターンを最適化する工程と、
を含む前記方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H095BC09
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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