特許
J-GLOBAL ID:200903024612264009
デバイスレイアウトを用いるNA-シグマ露光設定および散乱バーOPCの同時最適化の方法、プログラム製品、および装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
浅村 皓
, 浅村 肇
, 森 徹
, 吉田 裕
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-220964
公開番号(公開出願番号):特開2005-026701
出願日: 2004年06月30日
公開日(公表日): 2005年01月27日
要約:
【課題】ターゲットレイアウトに基づきリソグラフィシステムの開口数(「NA」)およびシグマを最適化する方法、プログラム製品、および装置を開示する。【解決手段】ピッチ分析またはインターバル分析が実行されてデザインにおける臨界ピッチの分布を識別する。該ピッチ分析あるいはインターバル分析に基づき臨界密集ピッチが識別される。臨界フィーチャがバイアス調整により、またはバイアス調整なしでプリントするよう、NA、シグマ-イン、シグマ-アウトのパラメータが最適化される。臨界密集フィーチャ以外のフィーチャに対してOPCに基づいて調整がなされ、リソグラフィ装置設定はさらに相互に最適化される。従って、リソグラフィ装置設定はどのようなパターンに対してもOPCと同時に最適化される。【選択図】図2
請求項(抜粋):
(a)臨界密集ピッチを認識して第一臨界フィーチャと第二臨界フィーチャに該当するステップと、
(b)臨界フィーチャに対する最適なリソグラフィ装置設定を判断するステップと、
(c)臨界フィーチャの分析に基づいてOPCを実行するステップと、
(d)他の臨界フィーチャにOPC調整を行うステップと、
(e)他の臨界フィーチャに対してリソグラフィ装置設定を最適化するステップとから成る、リソグラフィ装置設定を最適化し、かつ、基板の表面に形成されるパターンに対し光近接補正(OPC)を最適化する方法。
IPC (3件):
H01L21/027
, G03F1/08
, G03F7/20
FI (5件):
H01L21/30 502G
, G03F1/08 A
, G03F7/20 521
, H01L21/30 516C
, H01L21/30 515F
Fターム (15件):
2H095BA01
, 2H095BA07
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H095BC09
, 5F046AA25
, 5F046AA28
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046DA01
, 5F046DA12
, 5F046DD03
, 5F046DD06
, 5F046GA03
, 5F046GA14
引用特許:
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