半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-257234
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088318
出願日： 2007年10月01日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】光取り出し効率が高く、高輝度であり、放熱性能に優れ、かつ機械的強度にも優れた半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第1のクラッド層131と、発光層132と、第2のクラッド層133とが積層されてなる化合物半導体層13と、第1のクラッド層131に形成される複数の第1のオーミック電極16と、第2のクラッド層に形成される複数の第2のオーミック電極15と、化合物半導体層13の第1のクラッド層131上に形成されて第1のオーミック電極16と導通される透明導電膜21と、透明導電膜21上に形成されるボンディング電極22と、化合物半導体層13の第2のクラッド層133側に配置されて第2のオーミック電極15と導通される支持板11とを備える半導体発光素子。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体からなる第1の伝導型の第1のクラッド(clad)層と、第1又は第1とは反対の伝導型である第2の伝導型のIII-V族化合物半導体からなる発光層と、III-V族化合物半導体からなる第2の伝導型の第2のクラッド層とが少なくとも積層されてなる化合物半導体層と、前記第1のクラッド層に形成される複数の第1のオーミック電極と、前記第2のクラッド層に形成される複数の第2のオーミック電極と、前記化合物半導体層の前記第1のクラッド層上に形成されて前記第1のオーミック電極と導通される透明導電膜と、前記透明導電膜上に形成されるボンディング電極と、前記化合物半導体層の前記第2のクラッド層側に配置されて前記第2のオーミック電極と導通される支持板とを備え、前記第1のオーミック電極は、前記第1のクラッド層の表面に分散して配置され、前記第2のクラッド層の前記支持板側の接合面には、複数の凹部が設けられるとともに、前記凹部の底部に前記第2のオーミック電極が配置され、前記化合物半導体層には、前記第2のクラッド層の前記接合面と、前記凹部内の前記第2のオーミック電極の表面及び前記凹部の側部とを覆うように電流拡散層が設けられ、前記電流拡散層に、前記支持板が接合されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (8件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA37 , 5F041CA77 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CA98

引用特許：

出願人引用 (7件)

特許第3230638号公報
発光ダイオードの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-064528 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
発光ダイオードとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-107502 出願人：國聯光電科技股ふん有限公司

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