特許
J-GLOBAL ID：200903045294184235

プラズマ処理装置及び金属配線のエッチング方法

発明者：
上田 靖彦

上田 靖彦 について

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川本 英明

川本 英明 について

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宮本 秀信

宮本 秀信 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-101309
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189549
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 プラズマエッチング装置において、レジストに対するエッチングの高選択比を得るために、圧力を15〜20mTorrに設定すると、この領域ではエッチング残渣が発生し易く、適用が困難となる。【解決手段】 プラズマを発生させるためのソース部の円筒形真空容器(ベルジャ)1の高さを60mm以下、或いはRFアンテナ上端より35mm以下、または平板で構成する。ペルジャ1の高さを低減させることで、プラズマ発生中心が下方位置となり、下側に連設されるプロセスチャンバ5へのプラズマの拡散を容易にし、プロセスチャンバにおけるプラズマ密度を高め、15〜20mTorrの圧力でもエッチング残渣が低減され、ウェハ載置電極7上に載置されたウェハ8のレジストに対するエッチングの高選択比を得て高性能のエッチング装置が構成できる。
請求項（抜粋）：
誘電体からなる円筒形真空容器と、この真空容器の周囲に配設されて高周波電力が印加されるアンテナと、更にその周囲に配置された電磁コイルとを備えてプラズマを発生させるプラズマソース部を有するプラズマ処理装置において、前記円筒形真空容器の高さが60mm以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L 21/302 G ,  C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 L
引用特許：
審査官引用 (8件)
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