特許

J-GLOBAL ID：200903045336353490

装荷型半導体受光素子及びその製造方法

発明者： 竹内 剛
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346129
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168371
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 量子効率が高く、高光入力時にも劣化、破壊しにくい素子を提供する。【解決手段】 半絶縁性基板1上に第1のクラッド層2、ガイド層3、4、5、光吸収層6、第2のクラッド層7からなる層構造が形成され、入射端面から前記ガイド層3、4、5をコア層とする受動導波路部9が所定の距離形成され、その後方に光電変換部8が形成された装荷型半導体受光素子であって、前記ガイド層3、4、5は、屈折率が前記第1のクラッド層7側で低く、前記光吸収層6に近い程高くなるように変化する半導体層で構成され、この半導体層は、複数の半導体層の積層構造、又は層厚方向に連続的に変化する組成を有する構造のものである。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に第1のクラッド層、ガイド層、光吸収層、第2のクラッド層からなる層構造が形成され、入射端面から前記ガイド層をコア層とする受動導波路部が所定の距離形成され、その後方に光電変換部が形成された装荷型半導体受光素子であって、前記ガイド層は、屈折率が前記第1のクラッド層側で低く、前記光吸収層に近い程高くなるように変化する半導体層で構成されていることを特徴とする装荷型半導体受光素子。

Fターム (12件)：

5F049MA04 ,  5F049MA08 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA15 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049PA14 ,  5F049QA08 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-346605   出願人：富士通株式会社
• 半導体受光装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-175462   出願人：富士通株式会社
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-130793   出願人：日本電気株式会社
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-266224   出願人：日本電信電話株式会社