特許

J-GLOBAL ID：200903045378576635

半導体装置

発明者： 坂本 光造
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-071732
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288172
出願日： 2007年03月20日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】 高圧で低損失なワイドバンドギャップ半導体を用いた逆阻止型のスイッチング素子において、逆阻止に用いるヘテロ接合の耐圧を向上する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、第1端子10が形成されている第1主面側にワイドバンドギャップ半導体を用いたスイッチ素子を有し、第2端子13が形成されている第2主面側に逆方向電流を阻止するヘテロ接合ダイオード要素を有する逆阻止型のスイッチング素子で、半導体側面にシリコン半導体領域30aを設けてヘテロ接合ダイオードの耐圧劣化を防止した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1接合と第2接合とを有する半導体スイッチング素子において、 該半導体スイッチング素子の第1主端子と第2主端子との間の主電流経路のうち少なくとも1領域がワイドバンドギャップ半導体であって、 前記第2接合の順方向電圧降下が前記第1接合の順方向電圧降下より低く、 前記第2接合は前記スイッチング素子が順方向動作でオンした時に順バイアス状態にして、逆方向バイアス状態の時には電流遮断状態となり、前記逆バイアス状態の時には前記第2接合の周辺端部の空乏層が前記第1接合が形成される第1主面側に延びる手段を設けたことを特徴とする半導体スイッチング素子。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/861 ,  H01L 27/04

FI (10件)：

H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/78 652G ,  H01L27/08 331C ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/91 H ,  H01L29/91 L ,  H01L29/78 657A

Fターム (10件)：

5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048CB07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 縦型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-119885   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-110471   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-249595   出願人：日産自動車株式会社