特許

J-GLOBAL ID：200903072166132920

半導体装置

発明者： 下井田 良雄 ,  星 正勝 ,  林 哲也 ,  田中 秀明 ,  山上 滋春 ,  篠原 俊朗
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (2件)： 小林 茂 ,  和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-249595
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186307
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】 周辺構造の製造プロセスを簡略化する。 【解決手段】 N-型SiCからなるドレイン領域1の第一主面側にP型ウエル領域3、P+型ウエルコンタクト領域4、N+型ソース領域5、ゲート絶縁膜6、ゲート電極7、ソース電極8、チャネル領域10を有するパワーMOSFETを形成し、ドレイン領域1の第二主面側にP+型ポリシリコンからなるP+型ヘテロ半導体領域2を形成して、パワーMOSFETがオン、オフする電流の逆方向電流を阻止する逆方向阻止用のヘテロ接合ダイオードを形成し、P+型ヘテロ半導体領域2にドレイン電極9をオーミック接続する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第一導電型の同一半導体基体に、電流のオン、オフを切り替えるスイッチ機構と、上記スイッチ機構がオン、オフする電流の逆方向電流を阻止する逆方向阻止用のヘテロ接合ダイオードとを形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/861

FI (6件)：

H01L27/06 102A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/91 H ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 L

Fターム (22件)：

5F048AA01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA03 ,  5F048BA04 ,  5F048BA07 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB19 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BC16 ,  5F048BD01 ,  5F048BD07 ,  5F048BE09 ,  5F048BG05 ,  5F048BH01 ,  5F048CB07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-257993   出願人：株式会社東芝
• 交流用スイッチ素子及び交流スイッチ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-076062   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-132710   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-042960   出願人：株式会社東芝