半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-110471
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294716
出願日： 2005年04月07日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】ウエハバルクに形成されるpn接合や表面デバイス機能領域に影響を与えないゲッタリングシンクを容易に作製でき、ウエハプロセスにおける薄化工程後もゲッタリング能力は有効であって、半導体特性の低下や良品率低下を防止できる半導体装置を提供すること。【解決手段】特許請求の範囲の請求項1記載の本発明によれば、(100)面を主面とするシリコン半導体基板の一方の主面に半導体機能領域と、その外周にあって前記半導体機能領域と同程度の深さを有し、{111}面を側壁とし、{100}面を底面とするトレンチと、該トレンチの前記底面に形成されるヒロックと前記トレンチを充填するポリシリコン層またはシリコンエピタキシャル層とを備える半導体装置とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(100)面を主面とするシリコン半導体基板の一方の主面に半導体素子形成領域と、その外周にあって{111}面を側壁とし、{100}面を底面とするトレンチと、該トレンチの前記底面に形成されるヒロックと前記トレンチを充填するポリシリコン層またはシリコンエピタキシャル層とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/322 , H01L 29/739

FI (7件)：

H01L29/78 658G , H01L21/322 P , H01L21/322 R , H01L29/78 655A , H01L29/78 655F , H01L29/78 658Z , H01L29/78 658H

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-104542 出願人：富士電機株式会社
特許第3296304号公報
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-284236 出願人：富士電機株式会社

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審査官引用 (5件)

特開昭58-003243
特開昭61-084060
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-315425 出願人：株式会社デンソー

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